2014 先進矽化物技術國際會議與暑期研習班晚宴致詞

International Conference and Summer School on Advanced Silicide Technology (ICSS-SILICIDE 2014)

7月19日至22日

東京理科大學 (Tokyo University of Science) 葛飾 (Katsushika) 校區

首先我要感謝大會主辦單位邀請在會中作特邀演講，此次會議是我多年來第一次參加以金屬矽化物為主題的會議，有回到家的感覺；這主要是因為金屬矽化物是我在1980-2000年間研究的主要方向，而在這約二十年期間，金屬矽化物在電子元件應用上，從深具潛力，逐漸成為不可或缺而廣泛採用的部分，重要性越來越顯著；因而曾有相當時期，國際上經常舉行以金屬矽化物為主題的研討會或研習會，而在許多其他會議中，也常有一個或多個分項有關金屬矽化物研討時段；但約在公元兩千年後，這類會議逐漸減少，因為半導體元件研究已進入不同的世代；主要是奈米級元件製程所需精密先進設備以及繁複性，已遠超出學術界研究所能掌握甚或可積極參與的範圍，因此學術界從事金屬矽化物研究的團隊大幅度減少，而在領先群半導體企業界的研究，也往往基於智財權問題的考量，甚少對外公開發表，可謂情勢丕變，影響到公開討論的研討會舉辦。

很難得的是，本系列研討會自1997年首次舉辦以來，多年來仍持續進行，這一方面要感謝許多熱心學者的堅持，同時也可能是因為過往研討方向著重半導性金屬矽化物，剛好避開前述在積體電路元件應用研究的困境；另一方面，即使在半導性金屬矽化物研究方面，也需要有應用潛力之支撐，才有可能永續經營；在這次研討會中，欣見領域中在理論與實驗各方面許多令人興奮的進展，未來還需大家繼續努力，讓實質而大規模的應用得以實現。

本人此次受邀在會議中報告「金屬矽化物奈米線」，由於奈米線在介面反應基本了解以及多元應用的重要性，深具前瞻應用的潛力，可預見未來會繼續為研發重點，可供大家參考。

奈米科技在近年來勃興發展，一維奈米結構金屬矽化物也因其在奈米電子元件、自旋電子學、電場發射、熱電效應以及太陽能轉換應用的潛力，成為廣泛研究對象；這些一維奈米結構由許多不同方式成長，具有多元性的物理性質；許多奈米線展示特異的物理性質；例如相生成順序與成長速率以及控制因素的不同；許多矽化物奈米線電阻率較薄膜低； CoSi塊材具順磁性(paramagnetic)，而其奈米線為鐵磁性(ferromagnetic)；奈米線中螺旋磁性 (helimagnetism) 與具微小自旋磁區(skyrmion state) 較穩定等。同時目前已生成之矽化物/矽晶/矽化物雙異質結構製成之電晶體，除尺寸微小，有非常優異的電性，同時被用以製作多功能元件與積體電路。而以個人從事奈米材料研究的經驗，製程很紹需要昂貴與精密設備，同時不像一般材料研究，限於一、兩種特定物理性質，如在金屬矽化物薄膜研究中，以電性為首要考量，有時或會量測其機械性質；但在探討奈米結構特性時，除電性、機械性質外，常可能會探討磁性、熱傳導、熱電效應、場發射、化學性質等，是很好的學習機會，而對奈米尺寸結構，理論模擬工作也大有發揮空間，因此是一個方興未艾、深具潛力的新領域，特別值得年輕學者投入。

最後我要代表大家感謝主辦單位精心地舉辦這次盛會，祝大家身心愉快，滿載而歸。